集成電路廣泛使用于電腦、家電、數(shù)碼、工業(yè)、通信、軍事等領(lǐng)域。集成電路檢測(cè)根據(jù)工藝所處的環(huán)節(jié)可以分為設(shè)計(jì)驗(yàn)證、前道量檢測(cè)和后道檢測(cè)。 集成電路芯片的生產(chǎn)主要分為 IC設(shè)計(jì)、 IC 前道制造和 IC 后道封裝測(cè)試三大環(huán)節(jié)，把完成的集成電路進(jìn)行結(jié)構(gòu)及功能的確認(rèn)，以保證元件或IC在到達(dá)系統(tǒng)時(shí)的完整與正常，這一站我們稱(chēng)之為測(cè)試。
集成電路的制程永遠(yuǎn)無(wú)法達(dá)到100%良率，故在讓元件上系統(tǒng)前，必須要先進(jìn)行測(cè)試，以確定元件功能的正常與完整，以降低成本的損失。影響代工廠(chǎng)商的成敗依賴(lài)于產(chǎn)品的良率，良率不達(dá)標(biāo)會(huì)顯著影響廠(chǎng)商的成本與收益。針對(duì)于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備中起到關(guān)鍵作用的小型化長(zhǎng)壽命繼電器，以下做簡(jiǎn)單介紹：
歐姆龍MOS FET繼電器以豐富的產(chǎn)品種類(lèi)，多達(dá)150種豐富的產(chǎn)品系列、可靠的品質(zhì)，支持各種技術(shù)及設(shè)備的開(kāi)發(fā)。
歐姆龍MOS FET繼電器接觸可靠性更優(yōu)，與機(jī)械式繼電器相比，能使機(jī)械設(shè)備更小型化、更節(jié)能化。備有高靈敏度、大容量、低導(dǎo)通電阻、低端子間容量、高絕緣。
實(shí)現(xiàn)與機(jī)械式繼電器同等的連續(xù)負(fù)載電流（~4A）和低導(dǎo)通電阻（0.02Ω~）的大容量型。為使用多個(gè)繼電器的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)高密度安裝和小型化做出貢獻(xiàn)。G3VM-31QR連續(xù)負(fù)載電流1.5A，兼顧小型和大容量。
實(shí)現(xiàn)SPDT接點(diǎn)構(gòu)成的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件MOS FET繼電器模塊，電壓驅(qū)動(dòng)型（額定：DC5V)，封裝內(nèi)集中了SPDT結(jié)構(gòu)所需的部件，有助于基板省空間化。
